题 目：单原子磁体的自旋动力学机制和磁稳定性研究
报告人：袁宏宽教授 西南大学
时 间：2025年12月4号（星期四）下午3:00
地 点：LE201
邀请人：胡自翔
报告摘要：单原子磁体作为一种融合量子特性和磁学特性的新型量子材料，在超高密度数据存储领域展现出显著的应用潜力。然而，作为磁存储介质，其面临的关键挑战在于如何合理设计材料结构并精确调控磁态，以提高其自发磁化翻转的阻滞温度并延长其磁寿命。课题组综合运用密度泛函理论、从头计算、自旋哈密顿数值求解及自旋动力学理论等多种理论方法，系统地研究了镧系、锕系单原子磁体的静态磁能谱分布和可能发生的磁化翻转路径，评估了有效翻转能垒高度，探究了磁各向异性及磁态稳定性。此外，聚焦于自旋—声子/电子散射诱导的自旋弛豫过程，分析了单原子磁体中的量子磁化隧穿(QTM)、拉曼散射(Raman)、奥尔巴赫弛豫(Orbach)等自旋动力学微观机制，评估了相关体系的自旋寿命和磁阻塞温度，很好地阐释了近期实验测量结果，预测了部分性能优异的单原子磁体。
袁宏宽，教授，博导，西南大学科技发展研究院副院长，重庆市科技创新领军人才、重庆市学术技术带头人、重庆物理学会常务理事、重庆市青年科技领军人才协会理事，国家自然科学基金委、科技部、教育部、中科院以及十余个省市的基金和人才评审专家。长期从事纳米结构材料的计算研究，主持国家自然科学基金项目5项、省部级科研项目7项（重点项目2项）、横向科研项目2项，获重庆市自然科学奖1项，受邀担任J. Phys.: Conden Mater.等杂志客座编辑，在Physics Report、ACS Nano、Phys Rev B/Material、J Chem Phys等学术刊物上发表学术论文200余篇，研究成果被Chem Rev、Nat Commu、Phys Rev Lett、J Am Chem Soc、Angew Chem Int Edit等期刊论文引用和评述3700余次(H-index=35)。